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KBr晶體的生長及加工工藝研究

姚世龍  徐碩  李永吉  張恩浩  李永濤  李永菊  黃德馨  劉景和  
【摘要】:采用電阻加熱Czochralski法和一控雙變技術,在最佳工藝參數(轉速:6 r/min~8 r/min;拉速:1 mm/h~2 mm/h;循環水溫度:28℃±1℃;降溫速率:8℃/h~10℃/h;軸向溫度梯度:1℃/mm~2℃/mm)條件下,生長出了Φ96 mm×30 mm的KBr晶體.分析了晶體的潮解機理,采用飽和溶液對KBr晶體進行拋光,分析拋光壓力、拋光盤轉速、拋光液流量和拋光時間對晶體表面去除率和粗糙度的影響,得到最佳的拋光參數:最佳壓力為0.104 2 MPa、拋光液流量為15 m L/min、拋光盤轉速為30r/min和拋光時間為20 min.對拋光后的晶體元件透過性能測試表明,厚度為4 mm晶體的透過率為90.2%,在透過波段存在一定吸收.
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